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当一个正向偏压施加在集电结上时，它会招引被发射的电子。集电结电流是由发射电流发生的电子流，它经过集电区流出晶体管。这个电流被称为集电电流。
晶体管的扩大效应是经过对基区中的电流进行调控来完成的。当输入信号施加在基极上时，它会改动基区中的电荷分布。这个电荷分布改变会影响发射电流和集电电流，以此来完成对输出信号的扩大。
经过操控输入信号的起伏和频率，Hale Waihona Puke Baidu体管能轻松完成从小信号到大信号的扩大。一起，晶体管也具有功率扩大的才能。晶体管的作业原理为电子设备和电路的规划供给了根底，大范围的应用于通讯、计算机和其他电子设备中。
晶体管是一种电子器件，大多数都用在扩大和操控电流信号。它的作业原理是根据半导体材猜中电子的导电特性及电场的操控效果。
晶体管由三个区域构成：发射区、基区和集电区。发射区和集电区是P型半导体资料，而基区是N型半导体资料。这种结构被称为NPN型晶体管。
当没有外部电压施加在晶体管上时，发射结和集电结之间出现反向偏置，导致基区中没有电流活动。这种状况被称为截止状况。
