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场效应晶体管（field-effect transistor ,fet）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管按结构，可分为结型和绝缘栅型两大类。绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用sio2绝缘层隔离，故有绝缘栅型之称。或者按其金属-氧化物-半导体的材料构成，可称其为mos管。
绝缘栅型场效应晶体管有n沟道和p沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。n沟道绝缘栅型场效应晶体管的结构如图1所示。
n沟道绝缘栅型场效应晶体管的结构如图1所示。在一块掺杂浓度低的p型半导体上，扩散两个高掺杂的n+型半导体区，并引出两个电极，分别称为源极s和漏极d。在两个n+区间的p型半导体氧化一层极薄的sio2绝缘层，在sio2绝缘层上制作一层金属铅，引出电极，作为栅极g。
如图1(a)所示，在制造n沟道mos管时，如果在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，就会在两个n+型区之间的p型衬底表明产生足够的电场，p型衬底中的空穴被排斥到远端，衬底中的被吸引到表面，形成一个n型薄层，将两个n+型区即漏极和源极沟通。这个n+型薄层称为n型导电沟道，又因为是在p型衬底中形成的而称为反型层。这种mos管在制造时导电沟道已形成，称为耗尽型mos管。
如图1(b)所示，如果导电沟道不是预先在制造时形成的，而是利用外加栅极-源极电压形成电场产生的，则此类称为增强型mos管。当ugs>
;0时，g和s像一个平板器的两个极板，sio2和p型衬底好像电容中的介质，g-s间加正向电压后，其间便形成一个电场，在此电场的作用下，p型衬底中的空穴被排斥到远端，衬底中的电子被吸引到表面，形成一个n型导电沟道，当ugs增大时，感生负电荷q负增多；当ugs增大到某一数值比如(ugs=uth)时，q负足够多，恰好将两个n+区连接连通，这时只要uds≠0，d-s间就会导通，即id=0。如果ugs继续增大，id随之增大；相反，如果ugs减小，id随之减小。如果在d引线上串入一个电阻rd，则id就会在rd上产生压降，并随着ugs的变化而变化。显然，这是一个受电压控制的晶体管。
p沟道mos管是因在n型衬底中生成p型反型层而得名。其结构和工作原理与n沟道mos管似。只是使用的栅-源和漏-源电压极性与n沟道mos管相反。各种场效应管的图形符号如图2所示。
由于mos管工作时只有一种极性的载流子(n沟道是电子，p沟道是空穴)参与导电，故亦称为单极型晶体管。与双极型晶体管的共发射极接法类似，mos管采用共源接法，如图3所示。
当ugs上升时，感生负电荷q负增多；当ugs增到某个值比如ugs=uth时，q负足够多，恰好将两n+区连通，这时只要uds≠0，d-s间就会导通，即id≠0。如果ugs增大，id也就越大。如果在d引线上串一个电阻rd，则id就会在rd上产生压降，并随着ugs的变化而变化。所以场效应晶体管是电压控制的电流源器件。
mosfet与bjt都是半导体晶体管，mosfet的源极、漏极、栅极分别相当于bjt的发射极、集电极、基极。bjt的集电极电流ic受基极电流ib的控制，是一种电流控制器件；而mosfet的漏极电流id受栅-源电压ugs的控制，是一种电压控制元件。但与bjt相比，mosfet具有输入电阻大、噪声低、耐热性好、抗辐射能力强、耗电少等优点。这些优点使之从20世纪末60年代一诞生就大范围的应用于各种电子电路中。另外，mosfet的制造工艺最简单，占用芯片面积小，非常适合于制造大规模。
与bjt类似，mosfet不但可以通过ugs控制id实现对信号的放大作用，而且也可当作开关元件，通过ugs控制其导通或判断，大范围的使用在开关电路和脉冲数字电路中。
